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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。26495+￥6.561025+￥6.075050+￥5.7348100+￥5.5890500+￥5.49182500+￥5.37035000+￥5.321710000+￥5.2488 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP44N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 43.5 A, 100 V, 0.03 ohm, 10 V, 4 V19645+￥6.669025+￥6.175050+￥5.8292100+￥5.6810500+￥5.58222500+￥5.45875000+￥5.409310000+￥5.3352 -
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品类: MOS管描述: 150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET53245+￥1.984525+￥1.837550+￥1.7346100+￥1.6905500+￥1.66112500+￥1.62445000+￥1.609710000+￥1.5876 -
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品类: MOS管描述: QFET® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。762010+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET875710+￥10.8840100+￥10.3398500+￥9.97701000+￥9.95892000+￥9.88635000+￥9.79567500+￥9.723010000+￥9.6868 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP260N60E 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V68115+￥15.291950+￥14.6384200+￥14.2724500+￥14.18101000+￥14.08952500+￥13.98495000+￥13.91967500+￥13.8542 -
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品类: MOS管描述: N沟道 650V 11A10965+￥12.483950+￥11.9504200+￥11.6516500+￥11.57701000+￥11.50232500+￥11.41695000+￥11.36367500+￥11.3102 -
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品类: MOS管描述: SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。992610+￥6.7320100+￥6.3954500+￥6.17101000+￥6.15982000+￥6.11495000+￥6.05887500+￥6.013910000+￥5.9915 -
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品类: 双极性晶体管描述: 高压功率开关应用 High Voltage Power Switching Applications14805+￥4.522525+￥4.187550+￥3.9530100+￥3.8525500+￥3.78552500+￥3.70185000+￥3.668310000+￥3.6180 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP19N20C. 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 200 V, 140 mohm, 10 V, 4 V31625+￥6.169525+￥5.712550+￥5.3926100+￥5.2555500+￥5.16412500+￥5.04995000+￥5.004210000+￥4.9356 -
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品类: IGBT晶体管描述: 600V ，开关电源系列N沟道IGBT的 600V, SMPS Series N-Channel IGBTs835110+￥9.7800100+￥9.2910500+￥8.96501000+￥8.94872000+￥8.88355000+￥8.80207500+￥8.736810000+￥8.7042 -
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品类: MOS管描述: 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET61545+￥2.646025+￥2.450050+￥2.3128100+￥2.2540500+￥2.21482500+￥2.16585000+￥2.146210000+￥2.1168 -
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品类: MOS管描述: LOGIC 80V N沟道MOSFET 80V LOGIC N-Channel MOSFET28915+￥3.307525+￥3.062550+￥2.8910100+￥2.8175500+￥2.76852500+￥2.70735000+￥2.682810000+￥2.6460 -
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品类: MOS管描述: 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET48085+￥6.264025+￥5.800050+￥5.4752100+￥5.3360500+￥5.24322500+￥5.12725000+￥5.080810000+￥5.0112 -
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品类: MOS管描述: 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET51665+￥1.552525+￥1.437550+￥1.3570100+￥1.3225500+￥1.29952500+￥1.27085000+￥1.259310000+￥1.2420 -
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品类: MOS管描述: 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET243110+￥9.8400100+￥9.3480500+￥9.02001000+￥9.00362000+￥8.93805000+￥8.85607500+￥8.790410000+￥8.7576 -
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品类: MOS管描述: QFET® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。44745+￥5.211025+￥4.825050+￥4.5548100+￥4.4390500+￥4.36182500+￥4.26535000+￥4.226710000+￥4.1688 -
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品类: MOS管描述: 低栅极电荷（典型值18nC ） Low gate charge ( typical 18nC)86015+￥6.264025+￥5.800050+￥5.4752100+￥5.3360500+￥5.24322500+￥5.12725000+￥5.080810000+￥5.0112 -
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品类: MOS管描述: 150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET81645+￥3.834025+￥3.550050+￥3.3512100+￥3.2660500+￥3.20922500+￥3.13825000+￥3.109810000+￥3.0672 -
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品类: MOS管描述: 500V P沟道MOSFET 500V P-Channel MOSFET325110+￥1.039550+￥0.9856100+￥0.9471300+￥0.9240500+￥0.90091000+￥0.87782500+￥0.84325000+￥0.8355 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3Pin(3+Tab) TO-220 Rail60115+￥3.672025+￥3.400050+￥3.2096100+￥3.1280500+￥3.07362500+￥3.00565000+￥2.978410000+￥2.9376
